應用力學館位於楓香道與桃花心木道口
親愛的客戶您好:
        科邁斯2014年春季國際環保趨勢暨XRF新產品研討會即將開始,謹訂於2014年4月24日在 台灣大學應用力學研究所國際會議廳 舉行。

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親愛的客戶您好:
        2012
5Seiko精工納米科技株式會社(SII NanoTechnology Inc. ,簡稱SII)已與日立高新技術公司(Hitachi High-Technologies Corporation )合併,未來統一稱為日立高新(Hitachi High-Tech),作為日立高新熱分析及XRF的總代理,原SII儀器仍由科邁斯集團及先馳精密儀器股份有限公司繼續為您服務。

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圖一
KeywordDSCTMAPVC、增塑劑、玻璃轉移溫度

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化妝品
Keyword :化妝品重金屬、XRF篩選、非破壞式檢驗、口紅去斑美白 
 
近來許多公共議題常常被媒體報導出來,尤其是食品安全的部分更是嚴重,然而除了食安的議題,現在民生消費品安全的問題也陸續出現,相關單位檢驗出化妝品中添加重金屬,除了美白面霜外,連腮紅、口紅等產品也含有重金屬,現在民眾不只是食的方面要謹慎,恐怕連擦在臉上的保養品也需要多加留意了。

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KeywordDMS、橡膠、硫化、壽命、Master Curve
橡膠樹      小鴨  

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  Keywords: 質譜儀  油品分析食品檢驗 食用油 混油 添加劑
油

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關鍵字: 銻、SbXRF、剎車片、重金屬、Samsung三星、有害物質

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關鍵字:G-TEC、新能源、天然氣、油頁岩
隨著石油能源的耗竭,新能源天然氣開採已經成為近年來全球最熱門的商機,例如美國有意出售油頁岩氣給台灣,開放日本在美國建設天然氣自由開採站,中國境內石 油公司出資收購美國中南部地區的油頁岩氣資源以獲取美國的開採技術,以及廣泛應用的燃料電池與天然氣汽車,這都是因為油頁岩天然氣價格較為便宜也比較環 保,進而可降低對中東產油國的依賴。
以全球天然氣的分佈來看,產量最豐厚並擁有穩定的油頁岩工業的國家為美國、中國、加拿大,其它還有俄羅斯、巴西與德國也都有天然氣的應用產業。不過若是論開採技術與應用的純熟普及性,那麼美國就是新能源天然氣的強國了。美國以研發水力壓裂(hydraulic fracturing)與水平鑽井(horizontal drilling)的開採技術,提高了頁岩油氣產量並且能穩定供應,所以成為中國積極想取得開採技術的目標。
圖一 燃燒中的油頁岩

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XRF突破傳統新技術-與土壤重金屬調查評估同步上路
        行政院環保署於民國951月第一次頒佈有關手持式XRF汙染檢測應用,並正式發表第一篇有關土壤和底泥中元素濃度快速篩選方法 (註一),並且又於1013月再次頒布廢棄物、土壤、底泥及毒性化學物質中元素含量檢測方法草案(註二),兩者皆說明使用能量分散式射線螢光光譜儀。

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 CIGS薄型太陽能電池的品管檢測 
近年來,太陽能產業發展迅速,不只在技術上,轉換效能、厚度、重量,甚至到太陽能板的製程,都有一些突破性的改變,從以往的矽晶型到現在的薄膜化合物型(EX:非矽晶、CIGSCdTe…等等),朝向輕薄且高效能的方向邁進。CIGS薄膜太陽能電池,藉Cu()In()Ga()Se()四種原料的最佳比例,組成太陽能板的關鍵技術。由於具備光吸收能力佳、發電穩定度高、轉換效率高,整體發電量高、生產成本低以及能源回收期間(Energy payback time) 短等諸多優勢,CIGS太陽能電池已是太陽能產業明日之星,與傳統之晶圓型太陽能電池分庭抗禮。
 
    CIGS的關鍵技術而言,鍍層的比例會直接影響太陽能板的效能,目前薄型太陽能產業,在技術上還是以濺鍍共蒸鍍為主;而CIGS的製程,首先是在玻璃基板上形成鉬的背面電極膜,接著是CIGS光吸收層,高抵抗緩衝層等成膜過程。CIGS的光吸收層製程手法可分為「硒化法」及「共蒸鍍法」兩種。
   
    硒化法是用濺鍍法形成金屬薄膜後,使之與硒(Se)反應的做法;若是使用硫(S)來取代硒,則是稱為「硫化法」;除此之外,還有一些廠商則是使用硒化後再進一步硫化的「SAS(Sulfurization After Selenization)法」。共蒸鍍法,則是在加熱的基板上,將CuInGaSe四種元素同時蒸鍍的方法。
CIGS製程比較

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無鹵素材料(Halogen Free)專用分析儀
離子層析儀(Ion Chromatography,IC)原理簡介

 
一、原理:
        利用離子交換的原理,採用Dow Chemical公司專利的高效率離子交換樹脂,配合可泵送定流量溶媒(eluent)之泵浦,高靈敏度之電導計,記錄器等。分析程序(如圖1)為,由泵 浦泵送定流量溶媒,將由注入口注入之被檢體推送入分離管(Separation column),在管中各離子經過樹脂交換而分離,然後依次再被推送入抑制管(Suppressor Column),此時溶媒之離子都被抑制管吸附,不會影響電導計之檢出,而只有所欲分析的離子被沖洗出來進入電導計中,由其進入的順序及時間 (Retention time)來定性,由電導度之大小來定量,這些都以波峰(peaks)的型態,出現在記錄器上。
在抑制管中,反應方程式如下:
(1)2R-H++Na2CO3(eluent)→2R-Na+H2CO3(Low conductivity)
R-H++NaHCO3(eluent)→R-Na+H2CO3
(2)R-H+Cation-A(sample)→R-Cation+H-A


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一、何謂檢出限界(Limit Of Detection,LOD )
定義:檢出限界是指樣品中所含的被測物質可被檢出的最低量或濃度。在檢出限界內並不意味著一定就能夠進行定量。
評價方法:檢出限界可以通過空白樣品或檢出限界附近的樣品測定值的標準偏差以及檢出限界附近的標準曲線的斜率算出。例如,根據檢出限界附近的標準曲線的斜率以及空白樣品測定值的標準偏差,由下式求出檢出限界。    

DL(
檢出限界)= 3σ/slope    
 
slope:檢出限界附近標準曲線的斜率
    σ:空白樣品測定值的標準偏差 
應用在能譜法時,測定值的標準偏差可以用信噪比代替。分析方法的檢出限界應比質量標準中規定值要小。
 
二、何謂定量限界(Limit Of Quantitation, LOQ )
定義:定量限界是指樣品中所含的被測物質可被進行定量的最小量或最低濃度。定量限界所述樣品測定值的精度,以相對標準偏差表示,一般為10%
評價方法:通常定量限界可以通過空白樣品或被測物定量限界附近的樣品測定值的標準偏差以及定量限界附近的標準曲線的斜率算出。例如,根據定量限界附近的標準曲線的斜率以及空白樣品測定值的標準偏差,由下式求出定量限界。
  
QL(
定量限界)=10σ/slope
  
slope定量限界附近標準曲線的斜率
   σ:空白樣品測定值的標準偏差
應用能譜法時,測定值的標準偏差可以用信噪比代替。分析方法的定量限界應比質量標準中規定值要小。

 
目前套在XRF的算法是
檢出限界 = 3 * Sbg / M
定量限界 = 10 * Sbg / M
Sbg 是空白樣品的標準偏差,Sbg 在這的定義是:
  
  Sbg = SQRT(IBG / t)

這裡 SQRT( )代表平方根,
IBG空白樣品的強度( intensity(cps)),
    t 量測時間(measurement time).
  M 靈敏度(Sensitivity).靈敏度是校正曲線的斜率.

 

若有任何技技術問題或產品需求,歡迎與我們聯絡!

科邁斯集團
科邁斯科技
()有限公司(TEL02-89901779www.techmaxasia.com
先馳精密儀器()有限公司 (TEL : 02-89901580)
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